产品简介
PHEMOS-1000是一款高分辨率的微光显微镜，通过侦测半导体缺陷引起的微弱的光发射和热发射来准确定位半导体器件的失效位置。
设备既可以与通用型探针台组合使用，也可搭载滨松Tilt Stage配合Nano Lens进行动态失效分析。PHEMOS-1000支持从Probe Card到12英寸大尺寸晶圆的多种任务和应用范围需求。
产品特性
激光扫描系统
高灵敏度近红外相机进行光发射分析（根据客户样品特点对不同波长范围的光发射探测可以选配不同型号相机，InGaAs, C-CCD, Si-CCD, Emmi-X）
高灵敏度中红外Thermal相机进行热分析
激光诱导阻值变化分析（OBIRCH）
Nano Lens 进行高分辨率、高灵敏度分析
连接测试机进行动态分析
产品应用
半导体失效分析
规格参数
供电电压 | AC200 V (50 Hz/60 Hz) |
功耗 | Approx. 1400 VA (Max. 3300 VA) |
真空需求 | Approx. 80 kPa or more |
压缩空气需求 | 0.5 MPa to 0.7 MPa |
尺寸/重量 | Main unit: 1340 mm (W)×1200 mm (D)×2110 mm (H), Approx. 1500 kg Control rack: 880 mm (W)×820 mm (D)×1542 mm (H), Approx. 150 kg Operation desk: 1000 mm (W)×800 mm (D)×700 mm (H), Approx. 45 kg |