产品简介

高压在片测试系统专为研发设备表征/建模或利基生产应用而设计，可在-60°C 至 +300°C温度范围内进行精确的电气测量，适用于超低噪声，DC，RF，mmW和THz应用，并具有半自动和全自动操作，可用于最快时间获取准确数据。

采用PureLine、AutoGuard 和新一代 MicroChamber 技术实现高准确度 IV/CV、低噪声和 1/f 测量的最佳解决方案

可配置功率电平：

Ø 200V 至 3kV

Ø 1A 至 100A

宽动态范围：

Ø µV 至 3kV

Ø fA 至 100A

全量程容-电压 (C-V) 能力：

Ø fF 至 µF

Ø 支持2、3 和 4 端器件

Ø 高达3kV DC 偏移

典型配置

2600-PCT-xB 高功率参数测试仪

SUMMIT200全自动探针台

产品应用

IV/CV，RF/mmW，失效分析，WLR，MEMS

MOSFET、IGBT、二极管和其他大功率器件开发应用